سورپرایز ویژه سامسونگ / طرفداران غافلگیر شدند

سامسونگ، شرکتی بزرگ در کره جنوبی، به توسعه یک تراشه حافظه با پهنای باند بالا (HBM) پرداخته است که در صنعت تراشه‌ها دارای بالاترین ظرفیت است. این شرکت ادعا می‌کند تراشه HBM۳E ۱۲H قادر است عملکرد و ظرفیت را بیش از ۵۰ درصد افزایش دهد. این تراشه نیز در توسعه هوش مصنوعی کاربردهای گسترده‌ای دارد.

براساس اعلام رسمی بلاگ سامسونگ، تراشه حافظه HBM۳E جدید تا ظرفیت ۳۶ گیگابایت در هر پشته را ارائه می‌دهد. این تراشه جدید اولین حافظه ۱۲ پشته‌ای HBM۳E در دنیا است که بالاترین ظرفیت تا‌ به‌ امروز را دارد. HBM۳E ۱۲H سامسونگ پهنای باند بالا تا ۱۲۸۰ گیگابایت‌برثانیه را فراهم می‌کند و در مقایسه با تراشه ۸ پشته‌ای HBM۳ ۸H، بیش از ۵۰ درصد بهبود یافته است.

تراشه حافظه HBM۳E ۱۲H سامسونگ

سامسونگ در تراشه جدید به کاهش ضخامت مواد NCF خود ادامه داده و به کمترین فاصله بین تراشه‌ها (هفت میکرومتر) دست یافته است. این امر منجر به افزایش تراکم عمودی حدود ۲۰ درصدی در مقایسه با HBM۳ ۸H می‌شود. به‌عبارتی، این تراشه جدید تقریباً به اندازه همان ارتفاع پشته ۸H است و امکان استفاده از بسته‌بندی HBM مشابه را فراهم می‌کند.

مدل‌های هوش مصنوعی مولد مانند ChatGPT به تعداد زیادی تراشه حافظه نیاز دارند. چنین تراشه‌هایی به مدل‌های هوش مصنوعی مولد این امکان را می‌دهند که جزئیات مکالمات گذشته کاربر را به‌خاطر بیاورند تا پاسخ‌های طبیعی‌تری بدهند.

با رشد تصاعدی برنامه‌های هوش مصنوعی، انتظار می‌رود HBM۳E ۱۲H یک راه‌حل بهینه برای سیستم‌های آینده باشد که به حافظه بیشتری نیاز دارند. برای مثال پردازنده گرافیکی انویدیا H۲۰۰ دارای ۱۴۱ گیگابایت HBM۳E است که در مجموع با سرعت ۴.۸ ترابایت‌برثانیه کار می‌کند. H۲۰۰ از شش ماژول ۲۴ گیگابایتی تراشه HBM۳E ۸H استفاده می‌کند. همین ظرفیت را می‌توان تنها با چهار ماژول تراشه جدید ۱۲H به‌دست آورد.

بر اساس برآوردهای سامسونگ، ظرفیت بیشتر تراشه ۱۲H، سرعت آموزش هوش مصنوعی را تا ۳۴ درصد افزایش می‌دهد.